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    光刻机最重要的功能就是光源和曝光工艺。

    国产光刻机以前为什么不行,    主要是光源技术明显滞后,    当然曝光工艺也不行。

    其实国际市场上产量最大的芯片生产设备，普遍还是采用第一代g光源的一点五微米到八百纳米左右的技术。

    毕竟不是所有的芯片都要求三百五十纳米以内的高端芯片制造。

    而第二代的i光源才是主要用于三百六十五纳米左右的芯片制造。

    不过第三代光源深紫外光（duv）也已经有了。

    只是这会还不是很稳定并不能形成产能。

    而第四代光源技术极紫外光（euv）现在所有人都没有头绪。

    全球所有的光刻机制造领域几乎都卡在这个地方。

    虽然芯片生产已经尝试向着第三代光源靠近。

    但量产的其实还是在第二代附近转悠。

    英特尔公司的奔腾系列和am公司的k系列用的都是第二代光源量产的产品。

    全球的光刻机市场，实际上还是第二代光源技术在坐庄。

    说到这个时间节点的光刻机制造水平。

    以长岛国的两个品牌为主。

    而苏翰说的国产光刻机之前还处于第一代的水平。

    说完了光源问题又要说说曝光工艺的问题。

    毕竟光源和生产工艺缺一不可。

    现在的光刻机曝光工艺总共分为三种。

    第一种接近式曝光。

    第二种接触式曝光。

    第三种投影式曝光。

    接触式曝光精度很高。

    但接触式曝光需要接触晶圆片，容易造成晶圆片和掩膜版的损伤，良品率低，成本高，不适合大规模生产。

    现在几乎没人用了。

    接近式曝光，虽然不触碰晶圆片，没有损伤，良品率也高。但接近式曝光也有自己的问题，就是有光线衍射问题，光线衍射以后分辨率低。想要提高良品率，只能损失分辨率。

    生产处的芯片精度太差自然也没人用了。
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